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第动行选择晶体管的漏极通过单元电容器连接到板电极。届世界智DRAM数据传输速度的推移。外围电路、业数输入/输出焊盘和行解码器位于硅芯片中心的左侧和右侧，业数列解码器位于中心的上方和下方，存储单元阵列（子阵列）位于硅芯片的硅芯片中心的上方和下方。

智化这就是所谓的双数据速率（DDR）SDRAM。写入数据、发展各部分的互连（布线）等。

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